Технология полупроводникового кремния Фалькевич Э.С, др.

Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криоген-ное. Рассмотрены способы получения кремния с заранее заданными свойствами, приведены области его применения. Значительное внимание уделено контролю качества продукции, технике безопасности в кремниевом производстве.

Для инженерно-технических работников и специалистов полупроводниковой промыш-ленности. Может быль полезна студентам вузов, обучающимся по соответствующим спе-циальностям. Ил. 184. Табл. 17. Библиогр. список: 298 назв.

http://letitbit.net/download/51394.53029b9d27d5ae083bdd527b3f10/poluprovodnikovy-si.djvu.html

http://vip-file.com/downloadlib/981487464736000624-51394.53029b9d27d5ae083bdd527b3f10/poluprovodnikovy-si.djvu.html